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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS039N08B, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS039N08B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5908
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7446TRPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR7446TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4195
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403170L, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SK8403170L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7620
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603170L, 59 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SK8603170L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7646
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4164DY-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4164DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3198
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP039N08B_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8537
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8570S, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS8570S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9193
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8743TRPBF, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR8743TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3394
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH150N10F7-2, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STH150N10F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7523
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMS8570SDC, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.9 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS8570SDC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8427
  
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