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• STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STS4DPF30L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-861
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STE53NC50, 53 A, Vds=500 V, 4引脚 ISOTOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STE53NC50
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7383
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS5PF30L, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STS5PF30L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8370
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18DN8TA, 4.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A18DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2554
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5110
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET STS4DPF20L, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STS4DPF20L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-855
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTR4501NT1G, 3.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR4501NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9146
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD15NF10T4, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD15NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-1060
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH50N30Q3, 50 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH50N30Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1398
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT50N30Q3, 50 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-268封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFT50N30Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1477
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET 晶体管 MTB30P06VT4G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MTB30P06VT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0970
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDP6020P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1230
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6208
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2353
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2357
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502GTRPBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML2502GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5176
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18KTC, 10.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A18KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8204
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6416ANL-1G, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD6416ANL-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2923
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD6416ANLT4G, 19 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD6416ANLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2932
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6346TRPBF, 3.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6346TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7234
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP36N55M5, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2964
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET VEC2415-TL-E, 3 A, Vds=60 V, 8引脚 VEC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  VEC2415-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9614
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC640P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC640P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0856
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7303TRPBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7303TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8841
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6346TRPBF, 3.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 80 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6346TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4070
  
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