规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPP037N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5487
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
BSZ0902NSI
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9207
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N04S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6971
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 124 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86500L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4897
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86500DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-5011
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFBA1404PPBF, 206 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-273AA封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
IRFBA1404PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5819
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF1404Z
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7689
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S2-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N04S2-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6968
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH170N8F7-2, 120 A, Vds=80 V, 2引脚 H2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
STH170N8F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2830
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
STB160N75F3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9828
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17303Q5, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
CSD17303Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4820
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF1404ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7683
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7660, 144 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS7660
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4790
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 158 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86500L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9645
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN2R6-40YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2937
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8020, 131 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8020
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1853
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
CSD17301Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4818
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S4-03, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPI80N04S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6754
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS037N08B, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 3.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS037N08B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8348
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