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• NXP N沟道 Si MOSFET BUK9575-100A,127, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BUK9575-100A,127
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  484-2915
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN045-80YS, 24 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN045-80YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2889
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR80N50Q3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFR80N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1459
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC638P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC638P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4413
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4189
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SCH1439-TL-H, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SCH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SCH1439-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1121
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH072N60F, 52 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH072N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1274
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5873
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDT439N, 6.3 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDT439N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0781
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTTFS5116PLTAG, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTTFS5116PLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4786
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 72 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-8995
  
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