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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.5 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSH114,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  508-539
  
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• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP8N65X2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.5 Ω,
• 制造商零件编号：
  IXTP8N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1479
  
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• STMicroelectronics 双 N沟道 Si MOSFET VNS1NV04DP-E, 3.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.5 Ω,
• 制造商零件编号：
  VNS1NV04DP-E
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  917-2797
  
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• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTY8N65X2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.5 Ω,
• 制造商零件编号：
  IXTY8N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1498
  
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• IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTA8N65X2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.5 Ω,
• 制造商零件编号：
  IXTA8N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1495
  
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