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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD034N06N3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD034N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9168
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N06S4L-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP90N06S4L-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7038
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQM120N04-1m8-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m8-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9519
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E10N1, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100E10N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5070
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N04-1m7L-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m7L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9516
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP034NE7N3GHKSA1, 100 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP034NE7N3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6833
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC024NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC024NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9165
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1932TH, 175 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDP1932TH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4971
  
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