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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC7660S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6288
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL140N4LLF5, 140 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL140N4LLF5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0540
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR8403
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0982
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIRA04DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9370
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB029N06, 120 A，193 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB029N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0799
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS031N03LGAKMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPS031N03LGAKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7044
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734-7PPBF, 197 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS7734-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3365
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC031N06NS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC031N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5257
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFU8403
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0991
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7660AS, 152 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS7660AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4793
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB031N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB031N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8923
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA04DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SISA04DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9307
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R7-60BS, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R7-60BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2921
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06B_F102, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.1 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP030N06B_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8524
  
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