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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-574
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713SPBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3713SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8951
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8441, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB8441
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0343
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8252PBF, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8252PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6885
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3206PBF, 200 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6989
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SUM110N06-3M4L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5010
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5004TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9268
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5302DTR2PBF, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5302DTR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9284
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7570S, 156 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS7570S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6336
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB155N3H6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9480
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805S-7PPBF, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3805S-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-663
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PH2520U,115, 100 A, Vds=20 V, 5引脚 LFPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PH2520U,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  508-579
  
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• Semikron 六 Si N沟道 MOSFET SK 80 MBBB 055, 117 A, Vds=55 V, 28引脚 SEMITOP3封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SK 80 MBBB 055
  品牌：
  Semikron
  库存编号：
  687-5033
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4468PBF, 290 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4468PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7014
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107-7PPBF, 260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7064
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3107PBF, 230 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3107PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7068
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1404ZPBF, 200 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL1404ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7178
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH240N75F3-6, 180 A, Vds=75 V, 8引脚 H2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STH240N75F3-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0516
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFSL3206, 120 A，210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFSL3206
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9206
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STH245N75F3-6, 180 A, Vds=75 V, 6引脚 H2PAK-6封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STH245N75F3-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7148
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734TRL7PP, 197 A, Vds=75 V, 6引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS7734TRL7PP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4218
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C423NLT1G, 150 A, Vds=40 V, 5引脚 DFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C423NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8810
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL130N6F7, 130 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL130N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-4674
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-552
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7862PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7862PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-887
  
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