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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQP2N60C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5076
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQPF2N60C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5244
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU2N60CTU, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQU2N60CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5357
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N60CTM, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQD2N60CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9017
  
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