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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS4010
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9180
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP047N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4734
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805SPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2805SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5740
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8687
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF2805S, 135 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2805S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1771
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2514SDC, 106 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC2514SDC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9500
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP047N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9667
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805PBF, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2805PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0274
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P04P4-05, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD90P04P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5221
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB047N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8939
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4010PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4010PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4111
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2805STRLPBF, 135 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2805STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2792
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7572S, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC7572S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6276
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2805, 175 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF2805
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1762
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R0-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R0-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2993
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03LSG, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC030N03LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9112
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052N06L3G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4.7 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP052N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6842
  
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