规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540ZPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRF540ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6872
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6244TRPBF, 6.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7228
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC6675BZ, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC6675BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9529
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMD4820NR2G, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
NTMD4820NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0677
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1205PBF, 44 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR1205PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0115
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF8915PBF, 8.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4693
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4685, 8.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
FDS4685
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0520
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTHS4166NT1G, 8.2 A, Vds=30 V, 8引脚 ChipFET封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
NTHS4166NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1042
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540ZSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRF540ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3929
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDP2614, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
FDP2614
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3557
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO220N03MDG, 7.7 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
BSO220N03MDG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8942
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR1205TRPBF, 44 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR1205TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4026
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905PBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR2905PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3806
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4042
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6244TRPBF, 6.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4076
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF540ZSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRF540ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3713
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9344
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMN25UN, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
PMN25UN
品牌:
NXP
库存编号:
798-2754
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK120N30P3, 120 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-264封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK120N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4394
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX120N30P3, 120 A, Vds=300 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IXFX120N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4492
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC89521L, 8.2 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC89521L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8240
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905PBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 27 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR2905PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0563
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