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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH96N20P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-442
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-739
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6375
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0564
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N05-11L_GE3, 50 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD50N05-11L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9493
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7405BDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1400
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA126N10N3 G, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA126N10N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2242
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3932
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4128DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4128DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3311
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N08NS3 G, 55 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC123N08NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5301
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDP7060
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1249
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8878, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8878
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3361
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3103TRPBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3363
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0748
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ44NPBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ44NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1348
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4435DDY-T1-GE3, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4435DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3339
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44N, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1879
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7232DN-T1-GE3, 24 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7232DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1396
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD45P03-12_GE3, 37 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD45P03-12_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3933
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N15P, 96 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH96N15P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-322
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4277
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI9410BDY-T1-E3, 6.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI9410BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4777
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ123N08NS3 G, 40 A, Vds=80 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ123N08NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5370
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK830321KL, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F3-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SK830321KL
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7636
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD45NF75T4, 40 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD45NF75T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  809-1559
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ4401EY-T1-GE3, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 24 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQ4401EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3917
  
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