品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0828
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0830
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5659
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI5429DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9232
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIA462DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SIA462DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1222
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1390
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4334
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5652
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4730
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Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7852DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9250
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7852DP-T1-GE3, 12 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7852DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4230
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
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