规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FCP11N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4730
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
IPA60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2995
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
SPW11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3213
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
STP14NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0014
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
STF15NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0446
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
SIHB12N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9300
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
STF13N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3640
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
STP13N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3788
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF16N50T, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FDPF16N50T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3598
查看其他仓库
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR290UNE, 700 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
PMR290UNE
品牌:
NXP
库存编号:
816-6919
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
IPI65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6722
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6924
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
IPA65R380C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8621
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
SPP11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8807
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4923
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPP50R380CE, 10.6 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
IPP50R380CE
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2267
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
SPA11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7780
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
SPP11N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6379
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB11N60TM, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FCB11N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0337
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60F, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FCP11N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4749
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA19N60, 18.5A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FQA19N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4913
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50ZFP, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
STP14NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5333
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
SPA11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8467
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
STP15NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9660
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP380N60, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 380 mΩ,
制造商零件编号:
FCP380N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9105
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