规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
IPW90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7434
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
FQPF6N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5290
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
BSS138K
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4401
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002KT1G, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
2N7002KT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0478
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2V7002KT1G, 320 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
2V7002KT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9361
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD5N95K5, 3.5 A, Vds=950 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STD5N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7088
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4106FTA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
ZVN4106FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7790
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW9N150, 8 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STW9N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1997
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4106FTA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
ZVN4106FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
169-4123
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
FQP6N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5161
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STP3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STP3N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0115
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-251封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STU3N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0231
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD4N80K5, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STD4N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5729
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL4N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STL4N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5903
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 2SK3565,S5Q(J, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 SC-67封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
2SK3565,S5Q(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4814
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTJD5121NT2G, 290 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-88封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
NTJD5121NT2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1676
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU4N80K5, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STU4N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1484
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF3N50TH, 2.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
MDF3N50TH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-6661
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NXP Si N沟道 MOSFET BSP122,115, 550 mA, Vds=200 V, 4引脚 SC-73封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
BSP122,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-591
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP5N60C, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
FQP5N60C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5152
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF3N50NZ, 1.8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
FDPF3N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4876
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD3N62K3, 2.7 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STD3N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9907
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW9N150, 8 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
STW9N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0639
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTJD5121NT1G, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-88封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
NTJD5121NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0627
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ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET NTZD5110NT1G, 310 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大漏源电阻值 2.5 Ω,
制造商零件编号:
NTZD5110NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4802
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