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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1162
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7473PBF, 6.9 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7473PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2389
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7324TRPBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7324TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8881
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3843
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478PBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7478PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3871
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL2910SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0377
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4384
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4120
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI2910PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLI2910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1000
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910PBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL2910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3856
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4227PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3948
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7726PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7726PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-805
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7420TRPBF, 11.5 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7420TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8920
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407TRPBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4041
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N08S2L-21, 30 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N08S2L-21
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5120
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910PBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL2910PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1229
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478PBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7478PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1768
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407TRPBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 26 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4786
  
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