规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
产品分类
(32)
半导体
(32)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (9)
Infineon (18)
ON Semiconductor (2)
ROHM (1)
STMicroelectronics (1)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR2407PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1162
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7473PBF, 6.9 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7473PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2389
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 N沟道 Si MOSFET FDMQ86530L, 8 A, Vds=60 V, 12引脚 MLP封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FDMQ86530L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1159
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC86160
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1206
查看其他仓库
ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 ECH8649-TL-H, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
ECH8649-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0829
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
HUF75329D3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6676
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7324TRPBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7324TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8881
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR2407PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3843
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478PBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7478PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3871
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910SPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRL2910SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0377
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4384
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FQB47P06TM_AM002
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0905
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB55N10TM, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FQB55N10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0914
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF47P06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF47P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5269
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5670, 52 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FDD5670
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9083
搜索
ROHM P沟道 Si MOSFET RZQ050P01TR, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 TSMT封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
RZQ050P01TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7822
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRFSL4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4120
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI2910PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRLI2910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1000
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL2910PBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRL2910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3856
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4227PBF, 62 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3948
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7726PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7726PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-805
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP55N10, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
FQP55N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5149
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI7121DN-T1-GE3, 9.6 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
SI7121DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1380
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7420TRPBF, 11.5 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7420TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8920
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407TRPBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大漏源电阻值 26 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR2407TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4041
查看其他仓库
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号