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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9024
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STF18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0449
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL18N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5899
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2240UW-7, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2240UW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-2955
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD15P10PG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5300
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSD816SNH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8485
  
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• Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET CMF10120D, 24 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CMF10120D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  919-9742
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8705
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA24N60, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA24N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4929
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2104V-7, 2.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2104V-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2532
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4464DY-T1-GE3, 1.7 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4464DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3333
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2104LP-7, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 DFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2104LP-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4234
  
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• DiodesZetex 双 P沟道 Si MOSFET DMP2240UDM-7, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2240UDM-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4253
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTZS3151PT1G, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTZS3151PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4806
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFP26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4436
  
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• Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET CMF10120D, 24 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CMF10120D
  品牌：
  Wolfspeed
  库存编号：
  809-8995
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  R5019ANX
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7523
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6216TRPBF, 2.2 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF6216TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2847
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4464DY-T1-GE3, 1.7 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4464DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0284
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0981
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN100-7-F, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN100-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2611
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDFMA2P857, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDFMA2P857
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6200
  
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• Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET 晶体管 FDMA1027P, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA1027P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6229
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA3023PZ, 2.9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA3023PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6232
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N55M5, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 240 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP18N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9663
  
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