品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPA65R190CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7738
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPP21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3207
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPI21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8772
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPW65R190C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7630
搜索
Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPA60R190P6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9092
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPP20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6391
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPW60R190C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3074
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190C6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPA65R190C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8618
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R190C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7576
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R190C7, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPP65R190C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7591
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPW65R190E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7649
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R190CE, 18.5A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPW50R190CEFKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
914-0236
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Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R190P6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9060
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Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPW60R190P6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9099
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60C3, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPW20N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3449
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Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPB21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3162
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R190E6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPP65R190E6XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6930
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPP65R190C6XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6937
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Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
IPA65R190E6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8615
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPI21N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8781
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPW21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7179
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60C3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 190 mΩ,
制造商零件编号:
SPP20N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3376
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