规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7807D1PBF, 8.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7807D1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1982
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTB50P03HDLT4G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
MTB50P03HDLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
625-5852
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6828NLT4G, 41 A, Vds=90 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
NVD6828NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1092
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3020LSS-13, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
DMP3020LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-4028
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4227PBF, 26 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3966
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86255, 45 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86255
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8473
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3972
搜索
Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639P3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
HUF75639P3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
329-1013
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7807APBF, 8.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7807APBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2187
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 MTP50P03HDLG, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
MTP50P03HDLG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
544-9848
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4227PBF, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4227PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4772
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4105ZPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU4105ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7156
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG7401SFG-13, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
DMG7401SFG-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5254
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75639G3, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
HUF75639G3
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-6692
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105ZPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR4105ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4407
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Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4925BDY-T1-E3, 5.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
SI4925BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4742
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRFHS8342TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7335
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4815N-35G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
NTD4815N-35G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
747-0904
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Panasonic FK 系列 Si N沟道 MOSFET FK8V03050L, 10 A, Vds=33 V, 8引脚 WMini8-F1封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
FK8V03050L
品牌:
Panasonic
库存编号:
749-8249
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD135N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IPD135N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5471
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMG7401SFG-7, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
DMG7401SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5263
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ECH8315-TL-H, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
ECH8315-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9425
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4830CDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
SI4830CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1292
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7240TRPBF, 10.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7240TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8835
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2018LFK-7, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 U-DFN2523封装
规格:最大漏源电阻值 25 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2018LFK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0496
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