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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STV240N75F3, 240 A, Vds=75 V, 10引脚 PowerSO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STV240N75F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0253
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3107-7P, 240 A，260 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3107-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9168
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2857
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STI270N4F3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STI270N4F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-3497
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-02, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9398
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86550, 155 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86550
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8492
  
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• IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 N沟道 Si MOSFET MMIX1F420N10T, 334 A, Vds=100 V, 24引脚 SMPD封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MMIX1F420N10T
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  875-2497
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3805S-7P, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3805S-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7449
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7658AS, 177 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS7658AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4781
  
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• Microchip MCP87 系列 N沟道 Si MOSFET MCP87022T-U/MF, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCP87022T-U/MF
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7393
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16414Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD16414Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4795
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7730PBF, 246 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB7730PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3315
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7730PBF, 246 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 2.6 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS7730PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3359
  
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