以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804STRLPBF, 270 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 2.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2804STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4948
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N04NGXKSA1, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 2.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP023N04NGXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6836
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N04LS G, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 2.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC016N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5222
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFSL8405, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 2.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFSL8405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1020
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8405, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 2.3 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1001
  
• 
  查看其他仓库