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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP032N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9169
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4980
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06, 120 A，193 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP030N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3541
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KCS, 259 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD19536KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4919
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP120N06S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6877
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP240N10F7, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP240N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7567
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDI030N06, 193 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDI030N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8164
  
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• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STH140N6F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2836
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8403160L, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SK8403160L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7627
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100E08N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5077
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4186DY-T1-GE3, 36 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4186DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3209
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK100A08N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6090
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP032N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4910
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD9407_F085, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD9407_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8130
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP80N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2311
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH160N4LF6-2, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK-2封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STH160N4LF6-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5849
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB029N06N3GE8187ATMA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB029N06N3GE8187ATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9200
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI120N06S4-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4669
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI032N06N3 G, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI032N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2090
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3 G, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA032N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7181
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7085TRPBF, 147 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH7085TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4170
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP032N06N3 G, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 3.2 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP032N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2100
  
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