以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3213
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5882
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9008
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI9407BDY-T1-GE3, 3.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI9407BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1444
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHG32N50D-GE3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHG32N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9207
  
• 
  搜索

• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4198
  
• 
  搜索