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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A08GTA, 5.3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A08GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2497
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3213
  
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• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 DMP2070UCB6-7, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-WLB1510封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2070UCB6-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5153
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET NTR4171PT1G, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR4171PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5286
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH6344-TL-H, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 MCPH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCH6344-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9481
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET SCH1337-TL-H, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 SCH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SCH1337-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1112
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A25KTC, 6.4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A25KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1886
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP28N60M2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP28N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1459
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF640NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4817
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5882
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PHT6N06T, 5.5 A, Vds=55 V, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PHT6N06T
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-926
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD20P06LT4G, 15.5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD20P06LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9124
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB50N80Q2, 50 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFB50N80Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5345
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDZ375P, 3.7 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDZ375P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4923
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3130L-7, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3130L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4275
  
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• Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSO615N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2797
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTD20P06LG, 15.5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD20P06LG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0513
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9008
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD3055-150T4G, 9 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD3055-150T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1011
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP4A57E6TA, 3.7 A, Vds=40 V, 6引脚 SOT-26封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP4A57E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3160
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW28NM60ND, 23 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW28NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1500
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW28N60M2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW28N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1507
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB28NM60ND, 23 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB28NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7066
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R150CFDAFKSA1, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW65R150CFDAFKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7117
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3130L-7, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 150 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3130L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8377
  
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