规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5087
搜索
Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8010LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4132
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
STB80NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5080
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4228PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6948
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP150N10A_F102, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
FDP150N10A_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5949
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP4015SPS-13, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 POWERDI5060封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
DMP4015SPS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5175
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8010PBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0290
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
BSZ130N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5101
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6179
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7698, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS7698
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8394
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY145N65M5, 138 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
STY145N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
880-5474
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
405-521
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10FP, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
STP80NF10FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5311
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6668TR1PBF, 55 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MZ封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6668TR1PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
716-5375
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30E06N1, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
TK30E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5083
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR412DP-T1-GE3, 13.4 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
SIR412DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1263
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP4015SK3-13, 11 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
DMP4015SK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2643
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5820NLTWG, 29 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
NVTFS5820NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4201
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFSL4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4123
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-568
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4321PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-877
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2995
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4172DY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
SI4172DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3202
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