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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP65N06, 65 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP65N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5159
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4812BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4812BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3355
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3110Z, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3110Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1901
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN016-100XS, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN016-100XS
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2849
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA908PZ, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA908PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8183
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4228PBF, 34 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI4228PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5813
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP60NF06, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP60NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8799
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N15P, 120 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH120N15P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-237
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8445, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8445
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0365
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD60NF06T4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD60NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5071
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4321PBF, 78 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4321PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7005
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2307ZPBF, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR2307ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7033
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR2307Z, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR2307Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7461
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLU3110Z, 63 A, Vds=100 V, 4引脚 TO-251AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLU3110Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1917
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4816NR2G, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMS4816NR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4727
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ECH8309-TL-H, 9.5 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ECH8309-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9428
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD5805NT4G, 51 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD5805NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1020
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6635, 59 A, Vds=35 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD6635
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0903
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3016LFDE-7, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 U-DFN2020封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN3016LFDE-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0535
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16412Q5A, 52 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD16412Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4785
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP048NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP048NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4864
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP60NF06, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP60NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7800
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF65N06, 40 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF65N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5288
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6926
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3806PBF, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU3806PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7143
  
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