以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH44N50P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-552
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-221
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD13N06TM, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD13N06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0958
  
• 
  搜索

• Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7304Q, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7304Q
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4264
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTHD4502NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTHD4502NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0598
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP18N20F, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP18N20F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3545
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N20FT, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N20FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3591
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB33N65M2, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB33N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5626
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STF33N65M2, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF33N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5654
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB62N80Q3, 62 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFB62N80Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0962
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN48N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-473
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7430
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP254PBF, 23 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP254PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0676
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD18N20V2TM, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD18N20V2TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0977
  
• 
  搜索

• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2307CX RFG, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM2307CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6030
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTR4503NT1G, 2.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR4503NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4751
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT44N50Q3, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFT44N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1474
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1070X-T1-GE3, 1.2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1070X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3041
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHLR024TR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0727
  
• 
  搜索

• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2065UW-7, 3.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2065UW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-2930
  
• 
  查看其他仓库

• ROHM Si N沟道 MOSFET RSD050N06TL, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 SC-63封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RSD050N06TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7759
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8217
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7304TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7304TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8850
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN48N60P, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFN48N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0767
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK48N60Q3, 48 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：最大漏源电阻值 140 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK48N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0978
  
• 
  搜索