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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 ZXMN6A11DN8TA, 3.2 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2416
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N02FTA, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N02FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7611
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A01ZTA, 3.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN3A01ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  885-5687
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11GTA, 4.4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8018
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N02FTA, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N02FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  154-958
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11GTA, 4.4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2526
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A11ZTA, 3.6 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  品牌：DiodesZetex,规格：最大漏源电阻值 180 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2450
  
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