以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0109
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NSPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4255
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFQ34N50P3, 34 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFQ34N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4455
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5885
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP26NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1456
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW26NM60ND, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1497
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB26NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7057
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20A60W5,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2939
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR9024N, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR9024N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1866
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH34N50P3, 34 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH34N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4372
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP11P06, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8766
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4858
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50F, 28 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDA28N50F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0783
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4823DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1283
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSV236SPH6327XT, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSV236SPH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9254
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NTRLPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9024NTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4085
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF26NM60ND, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF26NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7097
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQB11P06TM, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQB11P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8750
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU9024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1657
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W5,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5065
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP24N40, 24 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP24N40
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3554
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NTRPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9024NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4088
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4826
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU9024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4911
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z24NPBF, 12 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 175 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0799
  
• 
  搜索