品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1562
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IPD30N03S2L-20
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4580
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRLU3103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5062
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905PBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4772
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7416PBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF7416PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4820
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4909
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4127PBF, 76 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRFB4127PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6936
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRF4905
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4246
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905L, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRF4905L
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9133
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905LPBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3662
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905SPBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3678
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IPD200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8369
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IPP200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5611
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7463PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF7463PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8936
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905STRLPBF, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2819
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905STRRPBF, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905STRRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2828
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SH, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
BSO200P03SH
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8494
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DYPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
SI4435DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3859
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7416PBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF7416PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0143
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DYPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
SI4435DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1308
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC190N15NS3 G, 50 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
BSC190N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5317
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IPP200N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5500
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Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-14, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IPG20N06S4L-14
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9253
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905LPBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3913
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905PBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 20 MΩ,
制造商零件编号:
IRF4905PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9799
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