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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ44ZS, 51 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7495
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZLPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44ZLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5857
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4510PBF, 61 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4510PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8969
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4510TRPBF, 63 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR4510TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5011
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44Z, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7492
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4510PBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR4510PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8950
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4510PBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU4510PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8979
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO110N03MSG, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSO110N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8989
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP1923TH, 69 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 13.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDP1923TH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4962
  
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