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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9957
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4514
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4610PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7109
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44ZPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7308
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLU3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3976
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4410DYPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2414
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4491
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7807ZPBF, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR7807ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4564
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4610PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6958
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7811AVPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3883
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4710PBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4010
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP45N06S4L-08, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP45N06S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6895
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4797
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC120N03MS G, 39 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC120N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5308
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4710PBF, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1465
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1550
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7420PBF, 11.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7420PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2086
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7424PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7424PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2092
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44ZSPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4586
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLU3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4867
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44ZPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7165
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFB4610, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFB4610
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7464
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NSPBF, 64 A, Vds=55 V, 4引脚 SMD-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0307
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI45N06S4L-08, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI45N06S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4688
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4710PBF, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3862
  
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