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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2023UCB4-7, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 X1-WLB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.04 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMN2023UCB4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1066
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD20NF06L, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.04 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD20NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-5637
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB47N10SL-26, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.04 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPB47N10SL-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8353
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.04 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2262
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLU2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.04 Ω,
• 制造商零件编号：
  AUIRLU2905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4362
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75631S3ST, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 0.04 Ω,
• 制造商零件编号：
  HUF75631S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-6698
  
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