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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSZ165N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5377
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7949DP-T1-E3, 12.5 A, Vds=80 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7949DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9011
  
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• Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4712DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4328
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC120N03LS G, 39 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC120N03LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8173
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ46NL, 39 A，53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ46NL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9203
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17308Q3, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17308Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4836
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44V, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44V
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9209
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N10F7, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL60N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3741
  
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• Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4712DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1289
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2016UTS-13, 8.6 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 16.5 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2016UTS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2542
  
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