规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
BUZ906P
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-132
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD210PBF, 600 mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRFD210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0531
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610SPBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRF610SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2020
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD5NK50ZT4, 4.4 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
STD5NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5134
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD05N50ZT4G, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
NDD05N50ZT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2806
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF05N50ZG, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
NDF05N50ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2816
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50NZ, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
FDPF5N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4885
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
STP8NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0190
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF5N50D-E3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
SIHF5N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9159
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR210TRPBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRFR210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0616
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHF830S-GE3, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
SIHF830S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2654
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFL210TRPBF, 960 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRFL210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2736
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ905P, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
BUZ905P
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-104
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4210A, 450 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-92封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
ZVN4210A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
841-283
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9220PBF, 3.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRFR9220PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9698
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9620PBF, 3.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRF9620PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1045
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU210PBF, 2.6 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRFU210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1629
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610PBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
IRF610PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0046
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD05N50Z-1G, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
NDD05N50Z-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2803
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N52K3, 4.4 A, Vds=525 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
STD5N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9578
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DiodesZetex 双 N/P沟道 Si MOSFET DMC2400UV-7, 1 A,700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
DMC2400UV-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5109
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP5N50D-GE3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
SIHP5N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9184
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206GVTA, 1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
ZVN4206GVTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1836
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPA08N80C3, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
SPA08N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5645
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2400UV-13, 1.33 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
规格:最大漏源电阻值 1.5 Ω,
制造商零件编号:
DMN2400UV-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0478
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