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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7821PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR7821PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2301
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS5672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0542
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5811NLTWG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTTFS5811NLTWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2991
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTTFS5811NLTAG, 17 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTTFS5811NLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2998
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8403190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSSO8-F1-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SK8403190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7633
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3007LSS-13, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN3007LSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3227
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTAG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5811NLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4194
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTWG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5811NLTWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4197
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STF80N10F7, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF80N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7110
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4410PBF, 88 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4766
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP85N06, 85 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP85N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5187
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF85N06, 53 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF85N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5313
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6646TR1PBF, 12 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF6646TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6712
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4668PBF, 130 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4668PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7027
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413ZPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7413ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0296
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 SK8603190L, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SK8603190L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7658
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP80N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP80N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-6091
  
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• Toshiba TPC 系列 P沟道 Si MOSFET TPC8124, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPC8124
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5112
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R6-100BS, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R6-100BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2990
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3010LPS-13, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI5060封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3010LPS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2633
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3505PBF, 71 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3505PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5047
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLI3705NPBF, 52 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLI3705NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3799
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680A, 12.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6680A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0605
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3707ZSPBF, 59 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3707ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6844
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUP75P03-07-E3, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 10 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SUP75P03-07-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5171
  
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