规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI4019H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3198
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IXFX64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1506
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK64N60P3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK64N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4408
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MMSF3P02HDR2G, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
MMSF3P02HDR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-2832
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
STFW38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7466
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4019PBF, 17 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4019PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6920
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A14FTA, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMN3A14FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2579
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFR24N15DPBF, 24 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR24N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0300
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1427
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET SCH1332-TL-H, 2.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SCH封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
SCH1332-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1106
搜索
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP3085LSD-13, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
DMP3085LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0490
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R095C7, 24 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IPW65R095C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7636
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2244TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML2244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8661
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2244TRPBF, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML2244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4438
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP1022UFDE-7, 9.1 A, Vds=12 V, 6引脚 U-DFN2020封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
DMP1022UFDE-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5143
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
STP38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2974
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
STW38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2999
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
STB38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3059
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI8416DB-T2-E1, 16 A, Vds=8 V, 6引脚 微型支脚封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
SI8416DB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9266
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ROHM Si N沟道 MOSFET RTR030N05TL, 3 A, Vds=45 V, 3引脚 TSMT封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
RTR030N05TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7793
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3085LSS-13, 3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
DMP3085LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0500
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCA36N60NF, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
FCA36N60NF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1233
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
STP38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8824
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 95 mΩ,
制造商零件编号:
STF38N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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