品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5273
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STD7ANM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5723
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STD7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1988
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STF7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2843
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8856
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STD7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9935
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5276
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STU7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STU7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0247
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:STMicroelectronics,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STW10NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8865
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