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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6302GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3310
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321P, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP321P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2361
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7776
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPA06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8451
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8489
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS209PWH6327XTSA1, 500 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSS209PWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0018
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R399CP, 9 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 900 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD50R399CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9174
  
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