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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7422D2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2452
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT451AN, 7.2 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDT451AN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3978
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5362L_F085, 22 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS5362L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8385
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6961A, 3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6961A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5481
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD25P03LT4G, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD25P03LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5122
  
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• Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF250, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF250
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  192-7849
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPS43N50KPBF, 47 A, Vds=500 V, 3引脚 Super-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFPS43N50KPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1522
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQA36P15, 36 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA36P15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4938
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC365P, 4.3 A, Vds=35 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC365P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9027
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD306P, 6.7 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9065
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD25P03LT4G, 25 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD25P03LT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7888
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3113
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSTRLPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF530NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2837
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA75307T3ST, 2.6 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  HUFA75307T3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9328
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF530NSPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF530NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9260
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP16NF06L, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP16NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5383
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442BDV-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3442BDV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3288
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMA1028NZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMA1028NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6222
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM3442CX6 RFG, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM3442CX6 RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6077
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD3682, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD3682
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4429
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD15N06-42L_GE3, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQD15N06-42L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9478
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC15N06, 15 A, Vds=55 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC15N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8199
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STR2P3LLH6, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STR2P3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5702
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7316QTR, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 90 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7316QTR
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5198
  
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