规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
539-4990
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA32N20C, 32 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
FQA32N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4935
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
NTB25P06T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0510
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3890, 4.7 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
FDS3890
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3630
搜索
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
BSS806NEH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0109
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3947
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS31N20DTRLP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4091
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3315SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-158
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
SI8489EDB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1438
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS806NH6327XT, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
BSS806NH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0096
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3315S, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF3315S
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9124
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS460EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
SQS460EN-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9522
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ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8667-TL-H, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
ECH8667-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0143
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP32N20C, 28 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
FQP32N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5086
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA905P, 10 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
FDMA905P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3484
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806N, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
BSS806N
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8260
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315STRLPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 82 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3315STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2803
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