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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD19531KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4912
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD088N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5081
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDB088N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9465
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C670NLT1G, 71 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMFS5C670NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8814
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVMFS5C670NLT1G, 71 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NVMFS5C670NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8820
  
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• Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH8R80ANH, 59 A, Vds=100 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  规格：最大漏源电阻值 8.8 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPH8R80ANH
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5156
  
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