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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404ZL, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404ZL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4334
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5459
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRL1404Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4325
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7545PBF, 95 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB7545PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8858
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7842TRPBF, 18 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7842TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3899
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD75N04S4-06, 75 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD75N04S4-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4622
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5007TR2PBF, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFH5007TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7774
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N02KS G, 80 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 5.9 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC046N02KS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8167
  
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