以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-1085
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB7NK80ZT4, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STB7NK80ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9516
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFR320TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0626
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF720L-GE3, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  SIHF720L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2639
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSP149
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5720
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF720PBF, 3.3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF720PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0080
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD320PBF, 490 mA, Vds=400 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFD320PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4774
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU320PBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFU320PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4840
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK40ZT4, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD5NK40ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9581
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK40Z-1, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD5NK40Z-1
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9910
  
• 
  搜索

• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR316PL6327, 360 mA, Vds=100 V, 3引脚 SC-59封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSR316PL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9361
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD5NK40Z, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD5NK40Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2082
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NM60N, 3.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD3NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2905
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDY102PZ, 830 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDY102PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0717
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5346
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4210GTA, 800mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  ZVN4210GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5262
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDY1002PZ, 830 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDY1002PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0713
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP297H6327XTSA1, 660 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSP297H6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9272
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 1.8 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP7NK80Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6626
  
• 
  搜索