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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N03FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  154-964
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFP350LCPBF, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP350LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0165
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS352AP, 900 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDS352AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1084
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDS332P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1087
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5159
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP373, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP373
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8224
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH20N50P3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH20N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4363
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MTD6N15T4G, 6 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MTD6N15T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-0057
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK12E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6113
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK14A65W5,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6123
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP6250SE-13, 6.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP6250SE-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3234
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5025
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD08P06P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3247
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0068
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT2955, 2.5 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDT2955
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1096
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A08GTA, 2.9 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A08GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2440
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60N, 10.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP11N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6140
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP15N40, 15 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP15N40
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8543
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VX(J, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK12A60W,S5VX(J
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2879
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK12J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2881
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N03FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7620
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP295
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  445-2269
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NSPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF630NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9276
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P G, 8.83 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 300 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD08P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3188
  
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