规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7650, 232 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS7650
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6358
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320L, 100 A,238 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8320L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9187
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4H1ATMA2, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPB180N06S4H1ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5182
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB180N06S4-H1, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPB180N06S4-H1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5189
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP400N4F6, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
STP400N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-6094
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB017N06N3 G, 180 A, Vds=60 V, 7引脚 TO-263封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
IPB017N06N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5412
搜索
STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STH270N4F3-6, 180 A, Vds=40 V, 8引脚 H2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
STH270N4F3-6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0528
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C604NLT1G, 276 A, Vds=60 V, 8引脚 SO-8FL封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
NTMFS5C604NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
842-7939
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP4004, 350 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFP4004
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1825
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8320LDC, 192 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 1.7 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS8320LDC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8405
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