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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTJS4151PT1G, 4.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTJS4151PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0633
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8461DB-T2-E1, 3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI8461DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1425
  
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• ROHM Si N沟道 MOSFET RSD050N10TL, 5 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-63封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RSD050N10TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7753
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-251AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU5410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4136
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR5410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8699
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410PBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR5410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0303
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5410TRPBF, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 205 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR5410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4079
  
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