品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR5505TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4783
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI530NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9620
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
SPW32N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3226
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL211SP, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
BSL211SP
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2169
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Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R110CFD, 31 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IPB65R110CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4328
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505PBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR5505PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0474
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR024N, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRLR024N
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4343
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR5505TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4072
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR024NTRPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR024NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3341
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R110CFD, 31 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IPP65R110CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7585
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Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R110CFD, 31 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IPW65R110CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8241
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR024NTRLPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 110 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR024NTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3332
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