规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
RFD14N05L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
325-7580
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFD020
品牌:
Vishay
库存编号:
435-9429
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7101PBF, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7101PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0238
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4845
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD5614P, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
FDD5614P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0352
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC5614P, 5.7 A, Vds=60 V, 8引脚 MLP封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC5614P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0384
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
FDS6680AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0609
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD19N10TM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
FQD19N10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0974
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3455T1G, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
NTGS3455T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9133
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI4020H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3201
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4822
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Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
TSM2310CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6052
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXM64P03XTA, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
ZXM64P03XTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5326
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STB16NF06LT4, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
STB16NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0651
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05SM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
RFD14N05SM9A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3987
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ60N50P3, 60 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IXFQ60N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4461
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ24PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0672
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR020TRPBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR020TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2764
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204TRPBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7204TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8831
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN6070SSD-13, 4.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
DMN6070SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0493
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB23N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5787
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9Z34NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5056
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS9945, 3.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
FDS9945
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5500
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 100 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
918-9868
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